【中玻網】1、技術背景

真空（詞條“真空”由行業(yè)大百科提供）磁控濺射鍍膜技術是通過真空磁控濺射鍍膜機實現(xiàn)的，鍍膜機內由不同級別的真空泵抽氣，在系統(tǒng)內營造出一個鍍膜所需的真空環(huán)境，真空度要達到Low-E鍍膜所需的本底真空，一般在(1~5)×10-8Pa。在真空環(huán)境中向靶材(陰較（詞條“陰較”由行業(yè)大百科提供）)下充入工藝氣體氬氣(Ar)，氬氣在外加電場(由直流或交流電源產生)作用下發(fā)生電離生成氬離子(Ar+)，同時在電場E的作用下，氬離子加速飛向陰較靶并以高能量轟擊靶表面，使靶材產生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子(或分子)沉積在玻璃基片上形成薄膜。同時被濺射出的二次電子在陰較暗區(qū)被加速，在飛向基片的過程中，落入設定的正交電磁場的電子阱中，直接被磁場的洛倫茲力束縛，使其在磁場B的洛倫茲力作用下，以旋輪線和螺旋線的復合形式在靶表面附近作回旋運動。電子e的運動被電磁場束縛在靠近靶表面的等離子區(qū)域內，使其到達陽較前的行程大大增長，大大增加碰撞電離幾率，使得該區(qū)域內氣體原子的離化率增加，轟擊靶材的高能Ar+離子增多，從而實現(xiàn)了磁控濺射高速沉積的特點。在運用該機理開發(fā)Low-E膜系的過程中，要注意以下幾個問題：①保證整體工藝中各個環(huán)節(jié)的可靠性（詞條“可靠性”由行業(yè)大百科提供）。具體包括靶材質量、工藝氣體純度、原片新鮮程度、原片清洗質量等基礎因素，這一系列因素會對Low-E鍍膜玻璃產品的較終質量產生影響。②選擇合適的靶材。要建立的膜系是通過對陰較的前后順序布置實現(xiàn)的。③控制好各環(huán)節(jié)的工藝性能及參數(shù)。如適合的本底真空度、靶材適用的濺射功率、工藝氣體和反應氣體用量與輸入均勻性、膜層厚度等。總之，只有控制好以上各因素，才能夠保證所開發(fā)的雙銀Low-E鍍膜玻璃具有穩(wěn)定的顏色、優(yōu)異的機械性能和可加工性。

此外，在雙銀膜系開發(fā)過程中，原始數(shù)據(jù)的積累和歸納分析非常重要。原始數(shù)據(jù)應該包括：膜層結構、各個單層膜的厚度和均勻性調試數(shù)據(jù)、雙銀Low-E樣片的光學參數(shù)、面電阻及理化性能試驗數(shù)據(jù)等。

2、雙銀Low-E鍍膜玻璃膜系的開發(fā)過程

雙銀Low-E鍍膜玻璃膜系開發(fā)過程中有3個必要條件必須保證：一是硬件的保證。離線雙銀Low-E產品的實現(xiàn)是基于可生產大面積建筑用鍍膜玻璃的真空磁控濺射設備;二是合理的膜層結構設計?；趯Ω髂硬牧闲阅艹浞掷斫庹莆盏幕A上，進行合理的膜層結構設計，才能確保產品在機械性能、舒緩反應性能、可加工性上的優(yōu)異表現(xiàn);三是有清晰的開發(fā)流程。明確開發(fā)流程各階段的關鍵參數(shù)及工作要點，重視原始數(shù)據(jù)的記錄和分析。