科技日報：ITO靶材屬于35項卡脖子技術之一。UVTM掌握濺射靶材生產(chǎn)的核心技術以后，實施極其嚴格的保密措施，限制技術擴散，目前制備太陽能電池較為常用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶(氧化鋁鋅)等在國內(nèi)處于****水平。在中國光伏產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的前提下，作為薄膜太陽能電池上游的太陽能電池靶材市場規(guī)模也會保持高速發(fā)展。平板顯示器不斷向大尺寸方向發(fā)展，平板顯示器的出貨面積逐年加大；單個硬盤容量的逐年增長，推動了硬盤年銷售總容量持續(xù)增長。國內(nèi)大的半導體芯片用濺射靶材生產(chǎn)商，主要產(chǎn)品為各種高純?yōu)R射靶材，鉭靶、鎢鈦靶、LCD用碳纖維支撐等。高純度濺射靶材主要應用于電子元器件制造的物理-氣相沉積工藝。高純鋁及鋁合金是目前使用廣泛的導電層薄膜材料之一。  硅材料因導電率不及金屬，且隨溫度升高而增加，因而具有半導體性質。微電子領域對靶材濺射薄膜的品質和電阻要求是相當苛刻的。硅片制造商對靶材的要求是大尺寸、高純度、低偏析和細晶粒，這就要求所制造的靶材具有更好的微觀結構。電阻率是硅靶材產(chǎn)品的重要參數(shù)之一，除特殊用途外，絕大多數(shù)硅靶材電阻率要求越低越好，開始應用時電阻率要求在0.1-0.5Ω·cm范圍內(nèi)，逐漸降低至小于0.1Ω·cm，目前標準電阻率為0.02-0.04Ω·cm。為克服現(xiàn)有技術的不足，UVTM的研發(fā)人員開發(fā)了一種超低阻硅靶材，在硅材料中摻入處理過的高硼含量母合金，使硅靶材的電阻率小于0.01Ω·cm。純度大于5N，且致密度大于99％。傳統(tǒng)的覆于電子產(chǎn)品玻璃面板表面的黑化膜對光的反射強。 磁控濺射靶材主要應用于電子及信息產(chǎn)業(yè),如集成電路、信息存儲、液晶顯示屏、激光存儲器、電子控制器件等;亦可應用于玻璃鍍膜領域;還可以應用于耐磨材料、高溫耐蝕、高等裝飾用品等行業(yè)。透磁率可以作為評估磁性靶材透磁性能的有效指標，其測試方法還沒有相應的行業(yè)標準，很大程度上制約了國內(nèi)磁性濺射靶材的研發(fā)、制作及工業(yè)化生產(chǎn)。磁控靶的實際的承載功率除了與濺射工藝、薄膜的質量要求等因數(shù)有關外，主要與靶的冷卻狀況和散熱條件密切相關。磁控靶按其冷卻散熱方式的不同，分為“靶材直接水冷卻”和“靶材間接水冷卻”兩種?？紤]到濺射靶長期使用老化后，其散熱條件變差;兼顧各種不同靶材材質的散熱系數(shù)的不同，磁控靶的使用時的承載功率。  ITO靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及其對我國觸控面板產(chǎn)業(yè)的影響。如何燒制是個問題,而燒結大尺寸的ITO靶材就意味著需要大型的爐子。首先需要把氧化銦和氧化錫粉末按嚴格的比例混合，然后生產(chǎn)加工成地板磚的形狀，1700攝氏度的高溫燒制，形成的黑灰色陶瓷半導體就是ITO靶材。大部分國家銦的保有量只有1.6萬噸，中國的銦保有量約1萬噸，到62%。接下來是秘魯?shù)?80噸、加拿大的560噸、美國的450噸，分別占大部分國家保有量的3.6%、3.5%、2.7%，比較可知。鈮是灰白色金屬，熔點2468℃，沸點4742℃，密度8.57克/立方厘米。鈮是一種帶光澤的灰色金屬，具有順磁性，屬于元素周期表上的5族。高純度鈮金屬的延展性較高，但會隨雜質含量的增加而變硬。 一般情況下，磁控濺射沉積ITO薄膜時的濺射電壓在-400V左右，如果使用一定的工藝方法將濺射電壓降到-200V以下，那么所沉積的ITO薄膜電阻率將降低50%以上。產(chǎn)品質量。同時也降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。將ITO玻璃進行加工處理、經(jīng)過鍍膜形成電極,其中兩種在直流磁控濺射制備ITO薄膜時，降低薄膜濺射電壓的有效途徑磁場強度對濺射電壓的影響當磁場強度為300G時，濺射電壓約為-350v；但當磁場強度升高到1000G時，濺射電壓下降至-250v左右。一般情況下，磁場強度越高、濺射電壓越低，但磁場強度為1000G以上時，磁場強度對濺射電壓的影響就不明顯了。ITO薄膜的濺射電壓，可以通過合理的增強濺射陰極的磁場強度來實現(xiàn)。 低電壓濺射制備ITO薄膜由于ITO薄膜本身含有氧元素，磁控濺射制備ITO薄膜的過程中，會產(chǎn)生大量的氧負離子，氧負離子在電場的作用下，以一定的粒子能量會轟擊到所沉積的ITO薄膜表面，使ITO薄膜的結晶結構和晶體狀態(tài)造成結構缺陷。濺射的電壓越大，氧負離子轟擊膜層表面的能量也越大。為了有效地降低磁控濺射的電壓，以達到降低ITO薄膜電阻率的目的，可以采用一套特殊的濺射陰極結構和濺射直流電源，同時將一套3KW的射頻電源合理地匹配疊裝在一套6KW的直流電源上。在不同的直流濺射功率和射頻功率下進行降低ITO薄膜濺射電壓的工藝研究。超聲探傷：靶坯加工完后需要采用波進行檢查材料內(nèi)部是否有缺陷。一方面在陰極靶的周圍。