半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料，制造材料包括硅片（37%）、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品、電子氣體、CMP拋光材料、以及靶材等；（39%）、引線框架、樹(shù)脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。在國(guó)內(nèi)占據(jù)了大部分中等和要求不高的靶材市場(chǎng)份額。國(guó)內(nèi)靶材公司的發(fā)展趨勢(shì)如何？目前全球端高靶材市場(chǎng)主要分布于韓國(guó)、灣臺(tái)、中國(guó)、日本，主要供應(yīng)商在日本，韓國(guó)。 中國(guó)市場(chǎng)目前年消耗ITO靶材約300噸，但處于快速增長(zhǎng)之中日本企業(yè)在硅晶圓、合成半導(dǎo)體晶圓、光罩、光刻膠、靶材料、保護(hù)涂膜、引線架、陶瓷板、塑料板、TAB（捲帶式自動(dòng)接合）、COF（薄膜復(fù)晶）、焊線、封裝材料等14種重要材料方面均占有50%以上的份額。 平面轉(zhuǎn)管狀：多年來(lái)，鍍膜設(shè)備主要使用平面陰極，要求平面靶材與之配套。雖然人們通過(guò)設(shè)計(jì)移動(dòng)磁場(chǎng)等方式來(lái)提高平面靶材的利用率，但目前，平面靶材的利用率也只能達(dá)到40%左右。為了進(jìn)一步提高靶材利用率，人們?cè)O(shè)計(jì)了使用效率更高的旋轉(zhuǎn)陰極，用管狀的靶材進(jìn)行濺射鍍膜。濺射設(shè)備的改進(jìn)要求靶材從平面形狀改變?yōu)楣軤?，管狀旋轉(zhuǎn)靶材的利用率可以高達(dá)80%以上 。 近年來(lái)， 廣州、深圳等地的國(guó)內(nèi)陶瓷靶材制備其制備的產(chǎn)品已得到國(guó)內(nèi)外客戶的認(rèn)可。